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技術(shù)支持
應(yīng)用于IGBT的NTC熱敏芯片于散熱方面的重大突破
發(fā)布者 : admin 發(fā)布時(shí)間 : 2018/05/07 04:05:10

應(yīng)用于IGBT的NTC熱敏芯片于散熱方面的重大突破


“中國(guó)制造2025”發(fā)展規(guī)劃頒布后,工業(yè)智能化和綠色化發(fā)展成為主題,因此,智能控制和IGBT等功率半導(dǎo)體是發(fā)展的關(guān)鍵。目前,中國(guó)是世界上最大的IGBT消費(fèi)國(guó)之一,IGBT消費(fèi)市場(chǎng)高達(dá)約80億元。


作為新一代電力半導(dǎo)體器件,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)應(yīng)用領(lǐng)域廣泛,堪稱(chēng)現(xiàn)代功率變流裝置的“心臟”和綠色高端產(chǎn)業(yè)的“核芯”。從傳統(tǒng)的電力、機(jī)械、礦冶,到軌道交通、航空航天、新能源裝備以及特種裝備等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè),都有它的身影。IGBT模塊是高鐵列車(chē)牽引傳動(dòng)系統(tǒng)的核心部件,直接影響著高鐵列車(chē)的性能能 —— 能否瞬間起跑、舒適飛馳和穩(wěn)定停車(chē)。


如何解決IGBT模塊的散熱問(wèn)題是技術(shù)突破的關(guān)鍵。以下總結(jié)了四種IGBT模塊散熱的方法:


1、提高IGBT模塊內(nèi)部的導(dǎo)熱導(dǎo)電性能、耐受功率循環(huán)的能力, IGBT模塊內(nèi)部引線技術(shù)經(jīng)歷了粗鋁線鍵合、 鋁帶鍵合再到銅線鍵合的過(guò)程,提高了載流密度。


2、采用新的焊接工藝,傳統(tǒng)焊料為錫鉛合金, 成本低廉、工藝簡(jiǎn)單, 但存在環(huán)境污染問(wèn)題, 且車(chē)用功率模塊的芯片溫度已經(jīng)接近錫鉛焊料熔點(diǎn)(220℃)。


3、改進(jìn)DBC和模塊底板,降低散熱熱阻, 提高熱可靠性, 減小體積,降低成本等。以 AlN AlSiC 等材料取代 DBC 中的Al2O3Si3N4等常規(guī)陶瓷,熱導(dǎo)率更高,與Si 材料的熱膨脹系數(shù)匹配更好。


4、擴(kuò)大模塊與散熱底板間的連接面積,如端子壓接技術(shù)。


用于控制IGBT模塊內(nèi)溫度的關(guān)鍵部分是NTC熱敏芯片,NTC芯片具有控制溫度和溫度補(bǔ)償?shù)墓δ埽瑦?ài)晟電子自主研發(fā)、生產(chǎn)的IGBTNTC熱敏芯片可用于邦定、焊接工藝,具有良好的耐熱循環(huán)能力,芯片尺寸及參數(shù)要求都可以根據(jù)客戶(hù)需求定制。了解關(guān)于更多NTC熱敏電阻請(qǐng)閱:http://muyegroup.cn/dt/show/1.html

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