IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor），即絕緣柵雙極型晶體管，它是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件。廣東愛晟電子科技有限公司生產的NTC熱敏電阻在IGBT中能起到溫度檢測的作用，可實現(xiàn)精確地測量模塊基板溫度。今天我們就來探討下IGBT的失效模式及其原因——失效時間和失效表現(xiàn)形式。

失效時間

IGBT的失效率會遵循浴盆曲線的規(guī)律，呈現(xiàn)明顯的階段性。由此，可將其失效分為早期失效、隨機失效和壽命終結失效三個階段。

1）早期失效

這種情況主要發(fā)生在生產測試階段或者現(xiàn)場運行的早期階段，例如NTC熱敏電阻芯片在組裝的過程中受到損傷。

2）隨機失效

這種情況通常是不可控的，而隨機失效率與IGBT的運行情況有極大關聯(lián)。在浴盆曲線中，隨機失效率是是以較低的穩(wěn)定狀態(tài)呈現(xiàn)，可用FIT（Failure In Time）來表示，實際含義是10億個小時內的失效數(shù)。（注意：在測試過程中，必須排除早期失效和壽命終結失效的NTC熱敏電阻元件）

λ = nf / N*t     FIT = λ*10^9

nf = 失效的數(shù)量（個）     

N = 運行的器件總數(shù)量（個）   

t = 觀察的時間（以小時為單位）

MTBF (Mean Time Between Failures) ，失效間隔的平均時間，針對的是可維修的NTC熱敏電阻元件。

MTTF (Mean Time To Failure) 是相同的概念，針對的是不可維修的NTC熱敏電阻元件。

MTBF 和MTTF是λ的倒數(shù)。

MTBF=MTTF= 1/λ