隨著碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等寬禁帶材料的采用，車規(guī)級(jí)IGBT的工作溫度不斷升高，對(duì)溫度的準(zhǔn)確監(jiān)測變得更加重要，溫度控制是其有效運(yùn)行的關(guān)鍵因素之一。通常地，IGBT中的MOSFET都會(huì)配備內(nèi)部溫度傳感器（如體二極管）以進(jìn)行實(shí)時(shí)溫度監(jiān)測。但I(xiàn)GBT無論是采用銀燒結(jié)、SMT還是芯片引線鍵合等加工技術(shù)，置入NTC熱敏電阻進(jìn)行溫度監(jiān)測仍然是更佳選擇，因其具有高靈敏度、耐高溫、良好一致性等特點(diǎn)。通過設(shè)計(jì)者的合理設(shè)計(jì)，NTC熱敏電阻可以輔助IGBT模塊正確地降低其負(fù)荷，若其工作溫度處于范圍外（過熱/外部溫度過高）的情況下則關(guān)斷。

除了NTC熱敏電阻，也有廠商會(huì)采用其它元器件對(duì)車規(guī)級(jí)IGBT進(jìn)行實(shí)時(shí)溫度監(jiān)測。如半導(dǎo)體硅PTC熱敏電阻，其可以很好地執(zhí)行電流控制；或者鉑基（Platinum-based）/鈮基（Niobium-based）電阻式溫度檢測器（RTD，Resistance Temperature Detector），其可以采用較低的電阻去實(shí)現(xiàn)更高的檢測線性度。但半導(dǎo)體硅PTC熱敏電阻的應(yīng)用意味著IGBT需保持正溫度系數(shù)（PTC），這會(huì)增加IGBT熱失控（Thermal Runaway）的機(jī)率。因此，與半導(dǎo)體硅PTC熱敏電阻相比較，電阻值隨溫度升高而減少的NTC熱敏電阻能更好地輔助車規(guī)級(jí)IGBT進(jìn)行導(dǎo)通及關(guān)斷。另外，相較于NTC熱敏電阻，鉑基/鈮基電阻式溫度檢測器的成本更高，性價(jià)比低。

車規(guī)級(jí)IGBT模塊的承載電流可高達(dá)300A，直流母線電壓可高達(dá)400V，因此實(shí)時(shí)溫度監(jiān)測是其過載保護(hù)的關(guān)鍵標(biāo)準(zhǔn)。NTC熱敏電阻與車規(guī)級(jí)IGBT的集成，可在IGBT工作溫度上升至高溫閾值以上時(shí)，禁用IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器，從而提供熱關(guān)斷，避免IGBT模塊過熱。一般地，被置于IGBT或MOSFET內(nèi)基板上的NTC熱敏電阻多為玻璃封裝片式NTC熱敏電阻，其耐高溫（使用溫度可達(dá)250℃）、可靠性高；同時(shí)，片式結(jié)構(gòu)易于安裝，因此符合車規(guī)級(jí)IGBT模塊使用。另外，廣東愛晟電子科技有限公司為促進(jìn)SiC碳化硅模塊的持續(xù)發(fā)展，幫助IGBT廠商簡化工藝過程，全新推出了耐焊型芯片式NTC熱敏電阻，其NTC熱敏芯片的芯片焊接面適合高溫焊接、引線鍵合面適合打線工藝，在車規(guī)級(jí)IGBT模塊中能更好地發(fā)揮其溫度監(jiān)測的作用。