IGBT模塊憑借其低傳導損耗與低導通電阻，成為新能源汽車電控模塊中不可或缺的核心部件。而IGBT在開關狀態(tài)以及過載狀態(tài)下的工作結溫均很高，為避免溫度過高影響散熱甚至引致失效，通常會設置NTC熱敏電阻進行溫度監(jiān)測。

目前常規(guī)的新能源汽車用IGBT模塊設計方案中，所使用的熱敏電阻多為廣東愛晟電子科技有限公司生產的GT-T系列MELF貼片玻封NTC熱敏電阻。其優(yōu)勢在于：

一、靈敏度高，在IGBT工作過程中可快速響應進行實時溫度監(jiān)測；

二、玻璃封裝，可耐受IGBT的高溫工作環(huán)境；

三、無引線結構，便于自動化表面貼裝。

隨著新能源技術的持續(xù)改良，為節(jié)省電路空間成本，使內部設計更加精細，比IGBT模塊集成度更高的SiC碳化硅模塊成為近年熱門的半導體器件。為配合各大廠商進行模塊的研發(fā)升級，愛晟電子推出了一款應用于SiC碳化硅模塊的固定電阻，其可在高溫環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定的電性能。除此以外，固定電阻還有以下優(yōu)勢：

一、可用于邦定，適合IGBT、SiC碳化硅、GaN氮化鎵等功率模塊；

二、穩(wěn)定性優(yōu)異，可幫助SiC碳化硅模塊提高系統(tǒng)可靠性；

三、尺寸小，在優(yōu)化安裝空間的同時有助于降本增效；

四、良好耐候性，降低惡劣環(huán)境對于固定電阻的影響，有效保護SiC碳化硅模塊的工作免受環(huán)境因素干擾。