由NTC熱敏電阻芯片作為核心,采取不同封裝形式構(gòu)成的熱敏電阻被廣泛應(yīng)用于溫度探測(cè)、溫度補(bǔ)償和溫度控制電路，其在電路中起到將溫度的變量轉(zhuǎn)化成所需的電子信號(hào)的核心作用。由于電子設(shè)備高精度溫度探測(cè)、溫度控制的需要，對(duì)NTC熱敏電阻的R電阻值、B值的精度和穩(wěn)定性提出了越來越高的要求。

現(xiàn)有的NTC熱敏電阻芯片一般采用以下工藝流程進(jìn)行生產(chǎn)：熱敏半導(dǎo)體陶瓷粉末制備——單個(gè)成型——燒結(jié)——燒滲電極——電阻率測(cè)試。該工藝過程是直接由熱敏半導(dǎo)體陶瓷粉末直接制成單個(gè)的NTC熱敏電阻芯片，并在熱敏電阻的兩端部燒滲端電極。

該工藝技術(shù)在陶瓷粉料配方已經(jīng)確定的情況下，單個(gè)NTC熱敏電阻芯片的電性能取決于產(chǎn)品的幾何尺寸和燒結(jié)工藝對(duì)電性能影響。由于半導(dǎo)體陶瓷材料受燒結(jié)工藝參數(shù)的燒結(jié)溫度、爐腔氣氛等條件影響較大，使得現(xiàn)有的NTC熱敏電阻芯片制造工藝技術(shù)存在了兩個(gè)明顯的不足： 

一、阻值精度低。現(xiàn)有技術(shù)制成的產(chǎn)品電氣性能定型于燒結(jié)工藝，燒結(jié)、燒滲電極后的阻值分散且不能調(diào)節(jié)，批量生產(chǎn)中R25阻值精度一般在±5％內(nèi)、B值(NTC熱敏電阻的材料常數(shù))在±3％內(nèi)，無法滿足高精度要求。 

二、穩(wěn)定性差。制成后的NTC熱敏電阻芯片的兩電極間的半導(dǎo)體陶瓷體裸露，在潮氣、鹽霧、空氣氧化、腐蝕性氣體等惡劣環(huán)境中很容易造成半導(dǎo)體陶瓷和金屬電極間的老化，從而形成電氣性能的漂移。電性能在高溫老化1000小時(shí)后漂移量達(dá)到3％，這遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出高精度測(cè)溫應(yīng)用場(chǎng)合中要求的R電阻值及B值0.3％的精度要求。 

現(xiàn)提供一種高精度NTC熱敏電阻芯片制作方法《高精度NTC熱敏電阻芯片的制作-2》，能較好地實(shí)現(xiàn)高精度，擁有高可靠性。使用此方法生產(chǎn)的NTC熱敏電阻芯片，高精度產(chǎn)品(±0.5％)的命中率會(huì)有非常大的提高，產(chǎn)品的穩(wěn)態(tài)濕熱性，高溫負(fù)荷變化率及熱沖擊變化率小。