芯片電容——單層陶瓷電容器具有尺寸小、厚度薄，等效串聯(lián)電阻低、損耗低等優(yōu)點(diǎn)，它的頻率特性好，應(yīng)用頻率可達(dá)數(shù)千兆赫茲，適用于小型、微波的場合，可用于微波集成電路中，起到隔直流、RF旁路、濾波、調(diào)諧等作用。

芯片電容的頻率特性是指電容器電容量等參數(shù)隨頻率變化的關(guān)系，因此電容器在高頻下工作時(shí)，隨著工作效率的升高，由于絕緣介質(zhì)介電系數(shù)減小，電容量將會(huì)減小,而損耗將增大，并且會(huì)影響電容器的分布參數(shù)，逐漸會(huì)呈現(xiàn)感性。芯片電容的頻率特性，假設(shè)角頻率為ω，電容器的靜電容量為C，則理想狀態(tài)下電容器（1）的阻抗Z可用公式①表示:

①X_C=1/（ω×C）=1/（2×π×f×C）

由公式①可看出，阻抗大小|Z|如（2）所示，與頻率呈反比趨勢減少。由于理想電容器中無損耗，故等效串聯(lián)電阻(ESR)為零。

但實(shí)際電容器（2）中除有容量成分Ｃ外，還有因電介質(zhì)或電極損耗產(chǎn)生的電阻（ESR）及電極或?qū)Ь€產(chǎn)生的寄生電感(ESL)。因此，|Z|的頻率特性如（4）所示呈V字型（部分電容器可能會(huì)變?yōu)閁字型）曲線，ESR也顯示出與損耗值相應(yīng)的頻率特性。

|Z|和ESR變?yōu)椋?）中曲線的原因如下：低頻率范圍的|Z|與理想電容器相同，都與頻率呈反比趨勢減少。ESR值也顯示出與電介質(zhì)分極延遲產(chǎn)生的介質(zhì)損耗相應(yīng)的特性。而在共振點(diǎn)附近：頻率升高，則|Z|將受寄生電感或電極的比電阻等產(chǎn)生的ESR影響，偏離理想電容器（紅色虛線），顯示最小值。|Z|為最小值時(shí)的頻率稱為自振頻率，此時(shí)|Z|=ESR。若大于自振頻率，則元件特性由電容器轉(zhuǎn)變?yōu)殡姼?，|Z|轉(zhuǎn)而增加。低于自振頻率的范圍稱作容性領(lǐng)域，反之則稱作感性領(lǐng)域。

ESR除了受介電損耗的影響，還受電極自身抵抗行程的損耗影響。高頻范圍：共振點(diǎn)以上的高頻率范圍中的|Z|的特性由寄生電感(L)決定。高頻范圍的|Z|可由(2)中公式近似得出。與頻率成正比趨勢增加。ESR逐漸表現(xiàn)出電極趨膚效應(yīng)及接近效應(yīng)的影響。

以上為實(shí)際電容器的頻率特性。重要的是，頻率越高，越不能忽視寄生成份ESR或ESL的影響，隨著芯片電容在高頻領(lǐng)域的應(yīng)用越來越多，ESR和ESL和靜電容量一樣，成為表示芯片電容性能的重要參數(shù)。