廣東愛(ài)晟電子科技有限公司生產(chǎn)的單層芯片電容具有體積小、結(jié)構(gòu)堅(jiān)固、頻率特性?xún)?yōu)異等特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于微波通訊線(xiàn)路及抗電磁干擾（EMI，Electro Magnetic Interference）器件。與多層陶瓷電容（MLCC）相比，單層芯片電容具有等效串聯(lián)電阻低、介質(zhì)損耗小和可靠性高的優(yōu)點(diǎn)。

單層芯片電容的基本結(jié)構(gòu)為金屬電極——陶瓷介質(zhì)基片——金屬電極的三層結(jié)構(gòu)，其常規(guī)的制備工藝流程為：流延→疊片→層壓切塊→排膠→燒結(jié)→濺射→電鍍→切割。其中，切割一般采用機(jī)械切割方式，如旋轉(zhuǎn)刀片切割。然而，陶瓷材料脆性大，刀片切割時(shí)容易使陶瓷基片的切割面產(chǎn)生碎裂，不利于電容器的結(jié)構(gòu)完整性和可靠性?；诖耍瑦?ài)晟電子為大家介紹一款低應(yīng)力單層芯片電容，其陶瓷基片的切割面不易發(fā)生碎裂，具有結(jié)構(gòu)完整性好和可靠性高的特點(diǎn)。

低應(yīng)力單層芯片電容包括陶瓷基片、面電極、底電極以及設(shè)于陶瓷基片內(nèi)部的至少一個(gè)緩沖層。面電極被設(shè)置于陶瓷基片的頂面；底電極被設(shè)置于陶瓷基片的底面；各緩沖層在垂直于陶瓷基片的底面的方向上間隔設(shè)置，緩沖層為內(nèi)部中空的呈封閉框形的金屬層，其邊框沿陶瓷基片的側(cè)面布置，并外露于陶瓷基片的側(cè)面。緩沖層能減少切割應(yīng)力對(duì)陶瓷基片的切割面的影響，避免切割面產(chǎn)生碎裂，從而使單層芯片電容整體結(jié)構(gòu)完好，保證單層芯片電容的性能和可靠性。同時(shí)，通過(guò)設(shè)置至少一個(gè)間隔設(shè)置的金屬層，能夠分散切割應(yīng)力，防碎裂效果更好。低應(yīng)力單層芯片電容的制備方法如下：

一、采用流延法將陶瓷漿料制成陶瓷膜。

陶瓷漿料可采用本行業(yè)所慣用的工藝技術(shù)用陶瓷粉料制備得到，陶瓷粉料可采用電容陶瓷用的Ⅰ類(lèi)瓷、Ⅱ類(lèi)瓷或Ⅲ類(lèi)瓷的粉末配成；制得陶瓷膜的厚度為5~60微米。

二、采用金屬漿料在步驟一制得的陶瓷膜表面印刷呈多個(gè)封閉框形的緩沖層。

金屬漿料可以為銀、鈀、銀鈀合金、鎳、銅、鎳銅合金等的漿料，優(yōu)先選用可與步驟一制得的陶瓷膜共燒的金屬漿料。采用絲網(wǎng)印刷法印刷緩沖層，得到的緩沖層呈縱橫交錯(cuò)的方格網(wǎng)狀，印刷緩沖層的厚度為0.5~3微米。

三、將步驟一制得的陶瓷膜與至少一個(gè)步驟二中得到的陶瓷膜進(jìn)行疊片、層壓，得到各緩沖層間隔設(shè)于底部的陶瓷生坯巴塊。

疊片為先將四個(gè)步驟二得到的陶瓷膜層疊在一起，并使四個(gè)陶瓷膜上的緩沖層相互間隔，然后在外露的緩沖層的一側(cè)再層疊多個(gè)步驟一制得的陶瓷膜直至達(dá)到芯片電容所需的厚度；所得陶瓷生坯巴塊中相鄰兩個(gè)緩沖層的間距相等且為5~ 20微米。

四、將步驟三得到的陶瓷生坯巴塊劃切成尺寸更小的陶瓷生坯小塊，然后從上至 下沿緩沖層的邊框中線(xiàn)對(duì)陶瓷生坯小塊預(yù)切割成槽，如圖1所示，圖中點(diǎn)劃線(xiàn)為切割線(xiàn)，且所得切槽A底部為含緩沖層40的預(yù)留部分B，該預(yù)留部分B不切斷，如圖2所示。

劃切得到的陶瓷生坯小塊為矩形，其長(zhǎng)和寬分別優(yōu)選為2~10毫米，陶瓷生坯小塊面積較小，操作起來(lái)比較方便，不容易折斷，并且燒結(jié)時(shí)不容易變形，保證燒結(jié)后的平整度好；切槽A的深度為陶瓷生坯小塊的厚度的2/3~4/5，則預(yù)留部B的厚度為陶瓷生坯小塊的厚度的1/5~1/3；劃切和預(yù)切割可以采用旋轉(zhuǎn)刀片切割。

五、將步驟四得到的半成品進(jìn)行排膠、燒結(jié)。

排膠是將步驟四得到的半成品在空氣中以250~400℃進(jìn)行排膠，以保證燒結(jié)后的陶瓷均勻致密。燒結(jié)是將排膠后的半成品在空氣中或還原氣氛中以900~1350℃進(jìn)行燒結(jié)。

六、在步驟五得到的半成品的頂面和底面分別制作面電極和底電極。

采用濺射或電鍍方式制作面電極和底電極，材料可為鈦、鎢、鉑、鈷、銅、 鎳、鈀、金、錫中的至少一種金屬或任意幾種組合而成的合金，制得的面電極與底電極的厚度分別為2微米。

七、沿切槽對(duì)步驟六得到的半成品進(jìn)行貫穿式切割，切斷預(yù)留部B，得到單個(gè)低應(yīng)力單層芯片電容。

低應(yīng)力單層芯片電容的制備方法中，根據(jù)步驟一流延法得到的陶瓷膜面積較大，不方便后續(xù)的處理。因此，在步驟四中，利用陶瓷生坯可塑性的特點(diǎn)，先將陶瓷生坯巴塊劃切成較小的陶瓷生坯小塊，并對(duì)得到的陶瓷生坯小塊預(yù)切割成槽，所以層壓后對(duì)其劃切和預(yù)切割就不會(huì)產(chǎn)生碎裂。完成步驟五和步驟六后，在步驟七中再切斷預(yù)留部，雖然此時(shí)切割對(duì)象為脆性較大的陶瓷熟料，但由于預(yù)留部分含有可緩沖切割應(yīng)力的緩沖層，因此切斷時(shí)能防止碎裂，而且相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，對(duì)陶瓷熟料的切割厚度大為減少，更有效防止切割面發(fā)生碎裂。