常規(guī)的單層芯片電容其結(jié)構(gòu)為陶瓷介質(zhì)層的上、下表面分別印刷金屬電極，形成普通平行板電容的結(jié)構(gòu)，從而獲得相應(yīng)電容量。該結(jié)構(gòu)由于受到電容尺寸以及陶瓷材料的介電特性（包括介電常數(shù)、溫度特性等）的限制，當(dāng)其外形尺寸和采用的陶瓷材料確定時(shí)，其電容量也就固定了。因此，很多應(yīng)用場(chǎng)景受限于裝配空間，芯片電容的外形尺寸已固定，如采用常規(guī)單層芯片電容，就容易出現(xiàn)實(shí)際電容量小于應(yīng)用所要求的電容量。

為了解決上述問題，愛晟電子為大家介紹一款既能滿足外形尺寸要求，又能有效增大電容容量的單層芯片電容，其電容量遠(yuǎn)高于具有相同陶瓷材料及外形尺寸的常規(guī)單層芯片電容。該芯片電容具有內(nèi)部互連結(jié)構(gòu)，包括陶瓷介質(zhì)層、內(nèi)電極以及外電極。其中，陶瓷介質(zhì)層內(nèi)含有兩個(gè)相對(duì)設(shè)立的內(nèi)電極，上、下表面設(shè)有外電極；外電極通過設(shè)在陶瓷介質(zhì)層上的互連孔與內(nèi)電極電氣互連。其制備方法具體如下：

一、陶瓷材料生坯在流延后經(jīng)過疊片、預(yù)壓，分別制得上層陶瓷基片、下層陶瓷基片和中部陶瓷基片；

二、上層陶瓷基片和下層陶瓷基片表面覆蓋藍(lán)膜，分別對(duì)其進(jìn)行打孔處理，得到貫通的互連孔；中部陶瓷基片進(jìn)行打孔處理，得到定位孔，然后對(duì)上層陶瓷基片和下層陶瓷基片的互連孔進(jìn)行金屬化填孔，并去除藍(lán)膜；

三、分別在上層陶瓷基片和下層陶瓷基片的一面印刷內(nèi)電極；

四、將下層陶瓷基片放置在下層壓板上，按順序在下層陶瓷基片上疊放中部陶瓷基片、上層陶瓷基片、上層壓板，疊放時(shí)印刷有內(nèi)電極的一面朝內(nèi)，然后進(jìn)行層壓處理，層壓后對(duì)制品進(jìn)行燒結(jié)得到陶瓷介質(zhì)層；

五、采用濺射或涂覆工藝在陶瓷介質(zhì)層上、下表面分別印刷金屬電極，得到具有內(nèi)部互連結(jié)構(gòu)的單層芯片電容。

這款SLC單層芯片電容增加了內(nèi)電極，因間距小從而可得到大電容量的芯片電容。通過上、下陶瓷介質(zhì)層中的互連孔實(shí)現(xiàn)內(nèi)外電極的電氣連接，從而保證了電容的外形尺寸。相比如常規(guī)單層芯片電容，該芯片電容的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，可靠性高，產(chǎn)品性能優(yōu)越。





參考數(shù)據(jù)：

CN103515093A《一種具有內(nèi)部互連結(jié)構(gòu)的片式電容及其制備方法》