單層芯片電容（SLC）因其隔直流、高頻旁路和阻抗匹配等特點，被廣泛應(yīng)用于微波/光收發(fā)器、TOSA/ROSA/BOSA（發(fā)射/接收/雙向光學(xué)組件）、合成器、振蕩器和其它信號發(fā)生器等。在所有這些應(yīng)用中，選擇正確的電容是獲得理想性能的第一步。單層芯片電容的電容可根據(jù)平行板電容方程計算：

C=ε_rε_0A/d

其中，C是電容，單位為法拉（F）；A是兩塊板重疊的面積，單位為平方米（㎡）；ε_r是介電常數(shù)；ε₀是電常數(shù)(ε₀≈8.854×10-12F/m)；d是平行板之間的間距，單位為米（m）。

在理想的電容器中沒有電阻或電感，因此阻抗隨頻率成反比下降。然而，當(dāng)頻率達到自諧振頻率（SRF,Self-resonant Frequency）時，阻抗降到最小，然后電感占主導(dǎo)地位，阻抗隨頻率而增加。另一個需要注意的是，單層芯片電容在自諧振頻率附近的阻抗比理想電容器小。這是因為理想的電容器沒有等效串聯(lián)電感（ESL，Equivalent Series Inductance）或等效串聯(lián)電阻（ESR，Equivalent Series Resistance），但是單層芯片電容的等效串聯(lián)電感抵消了自諧振頻率附近的電容電抗（從而抵消了阻抗）。這意味著在自諧振頻率附近，單層芯片電容比理想電容器的損耗小。

其它的參數(shù)，包括電容器的額定工作電壓（RWV，Rated Working Voltage）、絕緣電阻（IR，Insulation Resistance），它們與電介質(zhì)的厚度成正比。電容會隨著偏置電壓而變化，其偏置電壓又會隨著介電常數(shù)的增加而惡化；電容會隨著溫度的變化而改變，其溫度又會隨特定的介電材料而變化。

一般來說，在選擇單層芯片電容時，可遵循以下原則：

一、為獲得最佳的等效串聯(lián)電阻，選擇尺寸大而薄的單層芯片電容。

二、為獲得最佳的額定工作電壓和絕緣電阻，選擇較厚的單層芯片電容。

三、對于最高的自諧振頻率，選擇尺寸更小、更薄的單層芯片電容。

四、對于最低損耗，使用最低介電常數(shù)。

廣東愛晟電子科技有限公司生產(chǎn)的單層芯片電容，尺寸?。ㄗ钚】芍?/span>0.23mm）、厚度?。ㄗ畋】芍?.12mm）、等效串聯(lián)電阻低、損耗低，可在微波應(yīng)用中起到隔直流、RF旁路、濾波、調(diào)諧等作用。

參考數(shù)據(jù)：

《微波雜志》2020年3/4月刊 《了解微波應(yīng)用中的單層電容器》